JFET, J109, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 40mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω12
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
85pF
Capacidad Fuente-Puerta
85pF
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.58mm
Altura
4.58mm
Profundidad
3.86mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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| 100 - 475 | € 0,292 | € 7,30 |
| 500 - 975 | € 0,228 | € 5,69 |
| 1000 - 2475 | € 0,183 | € 4,58 |
| 2500+ | € 0,161 | € 4,03 |
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-25 V
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Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω12
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
85pF
Capacidad Fuente-Puerta
85pF
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
4.58mm
Altura
4.58mm
Profundidad
3.86mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
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