Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
21 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
300 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±10V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 2,012
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 2,012
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,012 | € 10,06 |
10 - 95 | € 1,696 | € 8,48 |
100 - 245 | € 1,279 | € 6,40 |
250 - 495 | € 1,242 | € 6,21 |
500+ | € 1,085 | € 5,43 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
21 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
300 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±10V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.