Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±14V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 1,848
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
5 - 5 | € 1,848 | € 9,24 |
10 - 95 | € 1,796 | € 8,98 |
100 - 245 | € 1,754 | € 8,77 |
250 - 495 | € 1,705 | € 8,53 |
500+ | € 1,67 | € 8,35 |
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onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
450 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±14V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
6.73 x 6.22 x 2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.