Emisor conmutado, FJP2160DTU, NPN 2 A 2.21V TO-220, 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Ganancia Mínima de Corriente DC
20
Maximum Base Current
1A
Conteo de Pines
3
Categoría
Silicon Transistor
Altura
15.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Longitud
9.9mm
Datos del producto
Transistor de potencia ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistores de potencia NPN bipolares diseñados para usar en configuraciones ESBC™ (emisor-conmutado bipolar/cascode MOSFET) junto con los correspondientes dispositivos MOSFET de potencia. Esta configuración de interruptor de potencia proporciona una mayor eficiencia, flexibilidad y solidez, además, la potencia de transmisión se minimiza debido a la ausencia de capacitancia Miller en el diseño.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Transistor de potencia ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistores de potencia NPN bipolares diseñados para usar en configuraciones ESBC™ (emisor-conmutado bipolar/cascode MOSFET) junto con los correspondientes dispositivos MOSFET de potencia. Esta configuración de interruptor de potencia proporciona una mayor eficiencia, flexibilidad y solidez, además, la potencia de transmisión se minimiza debido a la ausencia de capacitancia Miller en el diseño.
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