IGBT, FGH75T65SHDTLN4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

Código de producto RS: 181-1867Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGH75T65SHDTLN4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

150 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

455 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

P

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Capacitancia de puerta

3710pF

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

160mJ

País de Origen

China

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P.O.A.

IGBT, FGH75T65SHDTLN4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple

450

Disponible en múltiplos de 450
450P.O.A.
900P.O.A.
1350P.O.A.
1800P.O.A.
2250P.O.A.
2700P.O.A.
3150P.O.A.
3600P.O.A.
4050P.O.A.
4500P.O.A.
4950P.O.A.
5400P.O.A.
5850P.O.A.
6300P.O.A.
6750P.O.A.

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450P.O.A.
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Corriente Máxima Continua del Colector

150 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

455 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

P

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Capacitancia de puerta

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