Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
290 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 2,545
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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30 - 30 | € 2,545 | € 76,35 |
60+ | € 2,392 | € 71,77 |
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600 V
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Disipación de Potencia Máxima
290 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
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Single
Dimensiones del Cuerpo
15.6 x 4.7 x 20.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.