Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia Máxima
240000 mW
Transistor Configuration
Single
Profundidad
4.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud:
10.67mm
Altura
16.51mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.4V
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2
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
2 - 8 | € 6,34 | € 12,68 |
10 - 98 | € 5,47 | € 10,94 |
100 - 248 | € 5,096 | € 10,19 |
250 - 498 | € 4,968 | € 9,94 |
500+ | € 4,845 | € 9,69 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia Máxima
240000 mW
Transistor Configuration
Single
Profundidad
4.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud:
10.67mm
Altura
16.51mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.4V