Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia Máxima
240000 mW
Transistor Configuration
Single
Ancho
4.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud:
10.67mm
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.4V
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£ 4,40
Each (In a Tube of 800) (Sin IVA)
800
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800
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Brand
onsemiTipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia Máxima
240000 mW
Transistor Configuration
Single
Ancho
4.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
SiC
Longitud:
10.67mm
Altura
16.51mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
2.4V