Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-247
Corriente Continua Máxima Directa
30A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1200V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
2
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
1.19kA
País de Origen
China
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P.O.A.
30
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30
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onsemiTipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-247
Corriente Continua Máxima Directa
30A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1200V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
2
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
1.19kA
País de Origen
China