Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
5.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
País de Origen
Philippines
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
75000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
5.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
País de Origen
Philippines