MOSFET onsemi FDV304P, VDSS 25 V, ID 460 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
460 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.93mm
Datos del producto
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
Aplicaciones:
• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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| 50+ | € 0,34 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
3
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1.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.93mm
Datos del producto
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
Aplicaciones:
• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC
MOSFET Transistors, ON Semi
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