MOSFET onsemi FDS6984AS, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 8,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
5,5 A, 8,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31 mΩ, 200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V, 8 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Profundidad
3.99mm
Material del transistor
Si
Series
PowerTrench, SyncFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET doble SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Diseñado para minimizar las pérdidas de conversión de potencia, al tiempo que mantiene un excelente rendimiento de conmutación
Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente baja.
SyncFET™ se beneficia del eficaz diodo de cuerpo Schottky
Aplicaciones en convertidor dc-dc con rectificación síncrona, controladores de motor, punto de redes de interruptor de carga de lado bajo
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
31 mΩ, 200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V, 8 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Profundidad
3.99mm
Material del transistor
Si
Series
PowerTrench, SyncFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.5mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET doble SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Diseñado para minimizar las pérdidas de conversión de potencia, al tiempo que mantiene un excelente rendimiento de conmutación
Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente baja.
SyncFET™ se beneficia del eficaz diodo de cuerpo Schottky
Aplicaciones en convertidor dc-dc con rectificación síncrona, controladores de motor, punto de redes de interruptor de carga de lado bajo
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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