MOSFET onsemi FDS4465, VDSS 20 V, ID 13,5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 166-2445Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDS4465
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

13.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4mm

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

86 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

Datos del producto

MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 1.713,55

$ 0,685 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

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Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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1

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4mm

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

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MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

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