MOSFET onsemi FDPF4D5N10C, VDSS 100 V, ID 128 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
37.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
16.07mm
País de Origen
China
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
4.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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