MOSFET onsemi FDMS4D5N08LCOS, VDSS 80 V, ID 116 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
116 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
113.6 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Longitud
5.85mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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£ 0,989
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Longitud
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