Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
67 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Tipo de Encapsulado
PQFN 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
106 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 6 V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
Philippines
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€ 2,062
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
PQFN 5 x 6
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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±20 V
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6mm
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 6 V
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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1.3V
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