MOSFET onsemi FDMC010N08C, VDSS 80 V, ID 51 A, Power33 de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 178-4250Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDMC010N08C
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

51 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

Power33

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

3.4mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Altura

0.75mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

País de Origen

Philippines

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P.O.A.

MOSFET onsemi FDMC010N08C, VDSS 80 V, ID 51 A, Power33 de 8 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
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onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

51 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

Power33

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

52000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

3.4mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

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0.75mm

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