Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
227 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
100 nC a 10 V
Altura
2.39mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
Philippines
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
227 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
100 nC a 10 V
Altura
2.39mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
Philippines