MOSFET onsemi FDD86250-F085, VDSS 150 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Ancho
6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
Altura
2.39mm
País de Origen
Philippines
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€ 0,883
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.73mm
Ancho
6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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