Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
57 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
44000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 5,66
€ 1,133 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,133 | € 5,66 |
50 - 95 | € 0,977 | € 4,89 |
100 - 495 | € 0,845 | € 4,23 |
500 - 995 | € 0,745 | € 3,72 |
1000+ | € 0,678 | € 3,39 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
57 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
44000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
37 nC a 10 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.