MOSFET onsemi FDD8424H, VDSS 40 V, ID 6,5 A, 9 A, DPAK (TO-252) de 5 pines, 2elementos, config. Drenaje común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A, 9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
PowerTrench
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ, 54 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Drenaje común
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V, 17 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 54,66
€ 1,093 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
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| 100 - 495 | € 0,947 | € 4,74 |
| 500 - 995 | € 0,832 | € 4,16 |
| 1000+ | € 0,758 | € 3,79 |
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40 V
Tipo de Encapsulado
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Series
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ, 54 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3,1 W
Transistor Configuration
Drenaje común
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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