Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
H-PSOF8L
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
11.78mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
9.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC @ 10 V
Altura
2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
País de Origen
Philippines
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€ 1,456
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
H-PSOF8L
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
11.78mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
9.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
47 nC @ 10 V
Altura
2.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.25V
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