MOSFET onsemi FCP125N65S3R0, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
181 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Altura
16.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 3,152
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,152 | € 157,61 |
| 100 - 200 | € 2,531 | € 126,56 |
| 250 - 450 | € 2,381 | € 119,03 |
| 500 - 950 | € 2,247 | € 112,37 |
| 1000+ | € 1,96 | € 98,01 |
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650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
181 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
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