MOSFET onsemi FCMT360N65S3OS, VDSS 650 V, ID 10 A, PQFN4 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
PQFN4
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
360 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 1,684
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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±30 V
Ancho
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Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Longitud
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