MOSFET onsemi FCH043N60, VDSS 600 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
43 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
592 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Material del transistor
Si
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
163 nC a 10 V
Ancho
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
20.82mm
Serie
SuperFET II
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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P.O.A.
30
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N
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
43 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
592 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Material del transistor
Si
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
163 nC a 10 V
Ancho
4.82mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
20.82mm
Serie
SuperFET II
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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