MOSFET onsemi FCD360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 178-4238Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCD360N65S3R0
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Altura

2.39mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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MOSFET onsemi FCD360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

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650 V

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DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

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