MOSFET onsemi FCA47N60F, VDSS 600 V, ID 47 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 124-1456Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCA47N60F
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

47 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-3PN

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

73 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

417000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

210 nC @ 10 V

Altura

20.1mm

Serie

SuperFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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Tipo de Encapsulado

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

73 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

417000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

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Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

16.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

210 nC @ 10 V

Altura

20.1mm

Serie

SuperFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor

Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

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