Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Residual Máxima
10V
Tensión Mínima de Ruptura
5.5V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
U-DFN2510
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
10
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
2.5 x 1 x 0.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125 °C
Altura
0.5mm
Profundidad
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud:
2.5mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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€ 0,211
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Altura
0.5mm
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Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud:
2.5mm
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