Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Residual Máxima
10V
Tensión Mínima de Ruptura
5.5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
U-DFN2510
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
10
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
5
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Dimensiones del Cuerpo
2.5 x 1 x 0.5mm
Longitud:
2.5mm
Altura
0.5mm
Ancho
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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€ 631,49
€ 0,21 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
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Tensión de Corte Inversa Máxima
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-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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2.5 x 1 x 0.5mm
Longitud:
2.5mm
Altura
0.5mm
Ancho
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
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