Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
U-DFN1713
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
8
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.7 x 1.35 x 0.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Altura
0.5mm
Profundidad
1.35mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
1.7mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Filtro EMI con protección contra descargas electroestáticas, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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€ 0,221
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
9V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
U-DFN1713
Tensión de Corte Inversa Máxima
5V
Conteo de Pines
8
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1.7 x 1.35 x 0.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Altura
0.5mm
Profundidad
1.35mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Longitud
1.7mm
País de Origen
Malaysia
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