Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
24 V
Tipo de Encapsulado
WLCSP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
10
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Dual
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 NC a 4,5 V NC
Ancho
2.13mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
0.17mm
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P.O.A.
5000
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25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
24 V
Tipo de Encapsulado
WLCSP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
10
Modo de Canal
Depletion
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Transistor Configuration
Dual
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
3.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 NC a 4,5 V NC
Ancho
2.13mm
Número de Elementos por Chip
2
Altura
0.17mm