MOSFET onsemi ECH8659-TL-W, VDSS 30 V, ID 7 A, ECH8, SOT-28FL de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ECH8, SOT-28FL
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,8 nC a 10 V
Altura
0.88mm
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tipo de Encapsulado
ECH8, SOT-28FL
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,8 nC a 10 V
Altura
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