Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
35 V
Tipo de Encapsulado
CPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
208 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 10 V
Ancho
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 35V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
35 V
Tipo de Encapsulado
CPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
208 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud:
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 10 V
Ancho
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto