Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-143
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.05 x 1.4 x 0.97mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
1.2pF
Longitud
3.05mm
Profundidad
1.4mm
Corriente de Prueba
8mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
0.97mm
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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Especificaciones
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onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-143
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
4
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.22W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.05 x 1.4 x 0.97mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacitancia
1.2pF
Longitud
3.05mm
Profundidad
1.4mm
Corriente de Prueba
8mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
0.97mm
País de Origen
China
Datos del producto