Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,091
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
100
€ 0,091
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100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,091 | € 9,11 |
200 - 400 | € 0,086 | € 8,64 |
500 - 900 | € 0,082 | € 8,17 |
1000 - 1900 | € 0,057 | € 5,72 |
2000+ | € 0,054 | € 5,37 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto