MOSFET ON Semiconductor BSS84LT1G, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| 200 - 400 | € 0,087 | € 8,65 |
| 500 - 900 | € 0,082 | € 8,19 |
| 1000 - 1900 | € 0,057 | € 5,73 |
| 2000+ | € 0,054 | € 5,38 |
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Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
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