MOSFET onsemi BSS138LG, VDSS 50 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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| 250 - 1225 | € 0,057 | € 1,43 |
| 1250 - 2475 | € 0,056 | € 1,40 |
| 2500 - 12475 | € 0,055 | € 1,37 |
| 12500+ | € 0,054 | € 1,34 |
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SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
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