Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 50V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,245
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
25
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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,245 | € 6,13 |
125 - 475 | € 0,241 | € 6,01 |
500 - 1225 | € 0,232 | € 5,81 |
1250+ | € 0,229 | € 5,72 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto