MOSFET onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,225
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,225 | € 2,25 |
| 100 - 240 | € 0,194 | € 1,94 |
| 250 - 490 | € 0,168 | € 1,68 |
| 500 - 990 | € 0,148 | € 1,48 |
| 1000+ | € 0,135 | € 1,35 |
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SOT-23-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
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