MOSFET onsemi BSS123LT1G, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 545-0135Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: BSS123LT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.8V

Disipación de Potencia Máxima

225 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.9mm

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.94mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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3

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Tensión de umbral de puerta máxima

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