Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Longitud
2.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.3mm
Altura
0.97mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 18,04
$ 0,18 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
$ 18,04
$ 0,18 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 400 | $ 0,18 | $ 18,04 |
500 - 900 | $ 0,155 | $ 15,50 |
1000+ | $ 0,135 | $ 13,50 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
40V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Longitud
2.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.3mm
Altura
0.97mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.