Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
8 to 80mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.97mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 0,052
Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
0.4 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-40 V
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Single
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Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.97mm
Ancho
1.3mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.