Transistor Darlington, BSP52T1G, NPN 1 A, 80 V, HFE:2000, SOT-223, 4 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Longitud:
6.5mm
Altura
1.57mm
Profundidad
3.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.57mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
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€ 0,197
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Ganancia Mínima de Corriente DC
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Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
90 V
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Altura
1.57mm
Profundidad
3.5mm
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