MOSFET onsemi BS170, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
500 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Ancho
4.19mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
5.33mm
Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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| 100 - 240 | € 0,132 | € 1,32 |
| 250 - 490 | € 0,124 | € 1,24 |
| 500+ | € 0,118 | € 1,18 |
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Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
5.2mm
Ancho
4.19mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
5.33mm
Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
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