Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-218
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
País de Origen
China
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P.O.A.
30
P.O.A.
30
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-218
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
10.53 x 4.83 x 15.75mm
País de Origen
China