Transistor Darlington, BCV26, PNP 1,2 A, 30 V, HFE:4000, SOT-23, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
1.2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
4000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.0001mA
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.92mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores PNP Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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| 6000+ | € 0,049 | € 147,36 |
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1.2 A
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Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
4000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.0001mA
Altura
0.93mm
Ancho
1.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
2.92mm
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