Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 60 V a 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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€ 0,106
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, 60 V a 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
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