Diodo, BAT54CLT1G, 200mA, 30V Barrera Schottky, 5ns, SOT-23, 3-Pines 240mV
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Corriente Continua Máxima Directa
200mA
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
30V
Configuración de diodo
Cátodo común
Tipo de Rectificador
Diodo Schottky
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
240mV
Número de Elementos por Chip
2
Tecnología de diodo
Barrera Schottky
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
5ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
600mA
Datos del producto
On Semiconductor Diodos de barrera Schottky
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
• Sin Plomo
• Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa
• Protección Contra Tensión
• Caja Moldeada De Epoxi
• paquete ligero de 11,7 mg
Standards
Products with NSV-, SBR- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.
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|---|---|---|
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| 500 - 900 | € 0,031 | € 3,10 |
| 1000+ | € 0,026 | € 2,62 |
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Diodo Schottky
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Schottky
Conteo de Pines
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Caída de tensión directa máxima
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Número de Elementos por Chip
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Tecnología de diodo
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Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
5ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
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On Semiconductor Diodos de barrera Schottky
Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de− . Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave.
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