Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 0,044
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
€ 0,044
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,044 | € 133,32 |
9000+ | € 0,028 | € 84,20 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.3V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Altura
1.01mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto