JFET, 2SK3666-2-TB-E, N-Canal, 30 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple

Name: JFET, 2SK3666-2-TB-E, N-Canal, 30 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Brand: onsemi
SKU: 1455192

Código de producto RS: 145-5192Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: 2SK3666-2-TB-E

Ver todo en JFET

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

0.6 to 1.5mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Altura

1.1mm

Profundidad

1.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.9mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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onsemi

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

0.6 to 1.5mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Conteo de Pines

Dimensiones del Cuerpo

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Altura

1.1mm

Profundidad

1.5mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.9mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.