Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
16 to 32mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Ancho
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,361 | € 7,22 |
200 - 480 | € 0,311 | € 6,22 |
500 - 980 | € 0,271 | € 5,41 |
1000 - 1980 | € 0,237 | € 4,74 |
2000+ | € 0,216 | € 4,32 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
16 to 32mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
1.1mm
Ancho
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.